Войти

Производители

Оперативная память Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5273DH0-CK0)

Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5273DH0-CK0)

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

5 / 5

Технические характеристики

Основные Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5273DH0-CK0)
Набор Нет
4 ГБ
Тип DDR3 DIMM
ECC Нет
PC-индекс PC3-12800
CAS Latency 11T
Конструкция Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5273DH0-CK0)
Низкопрофильный модуль Нет
Технические характеристики Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5273DH0-CK0)
Количество банков 2
Производитель микросхем Samsung
Число микросхем 16
Ёмкость микросхем 2 Гбит
Тип микросхем 256Mx8
Профили XMP Нет
Охлаждение Нет
Питание Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5273DH0-CK0)
Напряжение питания 1.5 В
Центральный процессор Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5273DH0-CK0)
Частота 1600 МГц

Похожие товары

Kingston HyperX Fury Black 2x4GB KIT DDR3 PC3-14900 (HX318C10FBK2/8)
Оперативная память Kingston HyperX Fury Black 2x4GB KIT DDR3 PC3-14900 (HX318C10FBK2/8) двухканальный (2 модуля), частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10, напряжение 1.5 В
Kingston HyperX Impact 2x4GB KIT DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (HX316LS9IBK2/8)
Оперативная память Kingston HyperX Impact 2x4GB KIT DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (HX316LS9IBK2/8) двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В
Crucial Ballistix Tactical 2x8GB DDR3 (BLT2CP8G3D1869DT1TX0CEU)
Оперативная память Crucial Ballistix Tactical 2x8GB DDR3 (BLT2CP8G3D1869DT1TX0CEU) двухканальный (2 модуля), частота 1866 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-27, напряжение 1.5 В
Kingston HyperX Savage 2x8GB KIT DDR3 PC3-14900 (HX318C9SRK2/16)
Оперативная память Kingston HyperX Savage 2x8GB KIT DDR3 PC3-14900 (HX318C9SRK2/16) двухканальный (2 модуля), частота 1866 МГц, CL 9T, тайминги 9-10-11, напряжение 1.5 В
Corsair Vengeance Blue 2x4GB DDR3 PC3-12800 KIT (CML8GX3M2A1600C9B)
Оперативная память Corsair Vengeance Blue 2x4GB DDR3 PC3-12800 KIT (CML8GX3M2A1600C9B) двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В